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HN3C51F-GR(TE85L,F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: HN3C51F-GR(TE85L,F
Descripción: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-74, SOT-457
Tipo de transistor 2 NPN (Dual)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 100MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SM6
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 120V

En stock 93 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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