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HN3A51F(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: HN3A51F(TE85L,F)
Descripción: TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-74, SOT-457
Tipo de transistor 2 PNP (Dual)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 100MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SM6
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 120V

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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