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HN2C01FEYTE85LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: HN2C01FEYTE85LF
Descripción: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 NPN (Dual)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 60MHz
Paquete de dispositivos de proveedores ES6
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 150mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 3930 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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