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HN1A01FE-GR,LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: HN1A01FE-GR,LF
Descripción: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 PNP (Dual)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 80MHz
Paquete de dispositivos de proveedores ES6
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 150mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 71 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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