La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
BAS316,H3F
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Ficha técnica: | BAS316,H3F |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Tipo de diodo | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SC-76, SOD-323 |
| Capacitancia : Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | USC |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 3ns |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 200nA @ 80V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 100V |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) | 250mA |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 1.25V @ 150mA |
En stock 65 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
Mínimo: 1
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