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6N139(F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Ficha técnica: 6N139(F)
Descripción: OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Serie -
Empaquetado Tube
Tipo de entrada DC
Tipo de salida Darlington with Base
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de pieza base 6N139
Número de canales 1
Voltaje - Aislamiento 2500Vrms
Saturación de Vce (máx.) -
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C
Tiempo de subida/caída (típico) -
Voltaje - Salida (máx.) 18V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-DIP
Corriente - Salida / Canal 60mA
Relación de transferencia de corriente (máx.) -
Relación de transferencia de corriente (mín.) 500% @ 1.6mA
Voltaje - Adelante (Vf) (típico) 1.65V
Activar / Desactivar tiempo (típico) 200ns, 1µs
Corriente - DC Forward (Si) (Máx.) 20mA

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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