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4N35(SHORT,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Ficha técnica: 4N35(SHORT,F)
Descripción: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Serie -
Empaquetado Tube
Tipo de entrada DC
Tipo de salida Transistor with Base
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de pieza base 4N35
Número de canales 1
Voltaje - Aislamiento 2500Vrms
Saturación de Vce (máx.) 300mV
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 100°C
Tiempo de subida/caída (típico) -
Voltaje - Salida (máx.) 30V
Paquete de dispositivos de proveedores 6-DIP
Corriente - Salida / Canal 100mA
Relación de transferencia de corriente (máx.) -
Relación de transferencia de corriente (mín.) 40% @ 10mA
Voltaje - Adelante (Vf) (típico) 1.15V
Activar / Desactivar tiempo (típico) 3µs, 3µs
Corriente - DC Forward (Si) (Máx.) 60mA

En stock 75 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.60 $0.59 $0.58
Mínimo: 1

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