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2SK2719(F)

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	2SK2719(F)
Descripción:	MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-3P(N)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	25nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	900V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	750pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V