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2SK2009TE85LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: 2SK2009TE85LF
Descripción: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Disipación de energía (máx.) 200mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-59-3
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 70pF @ 3V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V

En stock 250 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.55 $0.54 $0.53
Mínimo: 1

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