2SJ681(Q)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | 2SJ681(Q) |
Descripción: | MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Bulk |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 170mOhm @ 2.5A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 20W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PW-MOLD2 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 15nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 700pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
En stock 69 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1