Image is for reference only , details as Specifications

2SJ681(Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: 2SJ681(Q)
Descripción: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 170mOhm @ 2.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 20W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PW-MOLD2
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 700pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

En stock 69 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

2SJ610(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SJ380(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SJ360(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SSR1N60BTM_F080
ON Semiconductor
$0
SSR1N60BTM
ON Semiconductor
$0