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2SD2257(Q,M)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SD2257(Q,M)
Descripción: TRANS NPN 3A 100V TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220NIS
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 3A
Corriente - Corte del colector (máx.) 10µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 100V

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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