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2SD1407A-Y(F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SD1407A-Y(F)
Descripción: TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Tube
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 30W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 12MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220NIS
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 2V @ 400mA, 4A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 5A
Corriente - Corte del colector (máx.) 100µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 120 @ 1A, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 100V

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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