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2SC2235-Y(T6KMATFM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SC2235-Y(T6KMATFM
Descripción: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 900mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 120MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92MOD
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 800mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 120V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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