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2SB1457(TE6,F,M)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Ficha técnica: | 2SB1457(TE6,F,M) |
| Descripción: | TRANS PNP 2A 100V TO226-3 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Empaquetado | Bulk |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 900mW |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Tipo de transistor | PNP |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 50MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-92MOD |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 2A |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 10µA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 100V |
En stock 54 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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