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2SA965-Y(F,M)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Ficha técnica: | 2SA965-Y(F,M) |
| Descripción: | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Empaquetado | Bulk |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 900mW |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Tipo de transistor | PNP |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 120MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | LSTM |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 800mA |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 120V |
En stock 98 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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