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2SA949-Y(TE6,F,M)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SA949-Y(TE6,F,M)
Descripción: TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 800mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo de transistor PNP
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 120MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92MOD
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 800mV @ 1mA, 10A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 150V

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