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2SA1955FVBTPL3Z

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SA1955FVBTPL3Z
Descripción: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-723
Tipo de transistor PNP
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 130MHz
Paquete de dispositivos de proveedores VESM
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 400mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 12V

En stock 10815 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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