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2SA1930(Q,M)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SA1930(Q,M)
Descripción: TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Tipo de transistor PNP
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220NIS
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 2A
Corriente - Corte del colector (máx.) 5µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 180V

En stock 74 pcs

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