La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

2SA1930(LBS2MATQ,M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SA1930(LBS2MATQ,M
Descripción: TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Tipo de transistor PNP
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220NIS
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 2A
Corriente - Corte del colector (máx.) 5µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 180V

En stock 96 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
$0