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2SA1837,HFEMBJF(J

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SA1837,HFEMBJF(J
Descripción: TRANS PNP 1A 230V TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Tipo de transistor PNP
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 70MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220NIS
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 1A
Corriente - Corte del colector (máx.) 1µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 230V

En stock 77 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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