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2SA1020-Y,T6NSF(J

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SA1020-Y,T6NSF(J
Descripción: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 900mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo de transistor PNP
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 100MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92MOD
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 2A
Corriente - Corte del colector (máx.) 1µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

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