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1SS307E,L3F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: 1SS307E,L3F
Descripción: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie -
Empaquetado Cut Tape (CT)
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-79, SOD-523
Capacitancia : Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SC-79
Corriente - Fuga inversa - Vr 10nA @ 80V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 80V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 100mA
Temperatura de funcionamiento - Unión 150°C (Max)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1.3V @ 100mA

En stock 86 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.20 $0.20 $0.19
Mínimo: 1

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