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TC58NYG2S3EBAI5
| Fabricantes: | Toshiba Memory |
|---|---|
| Categoría de producto: | USB Flash Drives |
| Ficha técnica: | TC58NYG2S3EBAI5 |
| Descripción: | NAND Flash 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Rohs | Details |
| Marca | Toshiba Memory |
| Velocidad | 25 ns |
| Producto | NAND Flash |
| Empaquetado | Tray |
| Tamaño de la memoria | 4 Gbit |
| Tipo de memoria | NAND |
| Subcategoría | Memory & Data Storage |
| Tipo de temporización | Synchronous |
| Arquitectura | Block Erase |
| Fabricante | Toshiba |
| Organización | 512 M x 8 |
| Tipo de producto | NAND Flash |
| Ancho del bus de datos | 8 bit |
| Tipo de interfaz | Parallel |
| Estilo de montaje | SMD/SMT |
| Paquete / Caso | TFBGA-63 |
| Categoría de producto | NAND Flash |
| Sensible a la humedad | Yes |
| Corriente de suministro - Máx. | 30 mA |
| Tensión de alimentación - Máx. | 1.95 V |
| Tensión de alimentación - Min | 1.7 V |
| Cantidad de paquetes de fábrica | 180 |
| Frecuencia máxima del reloj | - |
| Temperatura máxima de funcionamiento | + 85 C |
| Temperatura mínima de funcionamiento | - 40 C |
En stock 50 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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