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TC58NVG2S3ETAI0

Fabricantes:	Toshiba Memory
Categoría de producto:	USB Flash Drives
Ficha técnica:	TC58NVG2S3ETAI0
Descripción:	NAND Flash 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Rohs	Details
Marca	Toshiba Memory
Velocidad	25 ns
Producto	NAND Flash
Empaquetado	Tray
Tamaño de la memoria	4 Gbit
Tipo de memoria	NAND
Subcategoría	Memory & Data Storage
Tipo de temporización	Synchronous
Arquitectura	Block Erase
Fabricante	Toshiba
Organización	512 M x 8
Tipo de producto	NAND Flash
Ancho del bus de datos	8 bit
Tipo de interfaz	Parallel
Estilo de montaje	SMD/SMT
Paquete / Caso	TSOP-48
Categoría de producto	NAND Flash
Sensible a la humedad	Yes
Corriente de suministro - Máx.	30 mA
Tensión de alimentación - Máx.	3.6 V
Tensión de alimentación - Min	2.7 V
Cantidad de paquetes de fábrica	96
Frecuencia máxima del reloj	-
Temperatura máxima de funcionamiento	+ 85 C
Temperatura mínima de funcionamiento	- 40 C