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TC58NVG2S3ETAI0

Fabricantes: Toshiba Memory
Categoría de producto: USB Flash Drives
Ficha técnica: TC58NVG2S3ETAI0
Descripción: NAND Flash 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Rohs Details
Marca Toshiba Memory
Velocidad 25 ns
Producto NAND Flash
Empaquetado Tray
Tamaño de la memoria 4 Gbit
Tipo de memoria NAND
Subcategoría Memory & Data Storage
Tipo de temporización Synchronous
Arquitectura Block Erase
Fabricante Toshiba
Organización 512 M x 8
Tipo de producto NAND Flash
Ancho del bus de datos 8 bit
Tipo de interfaz Parallel
Estilo de montaje SMD/SMT
Paquete / Caso TSOP-48
Categoría de producto NAND Flash
Sensible a la humedad Yes
Corriente de suministro - Máx. 30 mA
Tensión de alimentación - Máx. 3.6 V
Tensión de alimentación - Min 2.7 V
Cantidad de paquetes de fábrica 96
Frecuencia máxima del reloj -
Temperatura máxima de funcionamiento + 85 C
Temperatura mínima de funcionamiento - 40 C

En stock 71 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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