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TC58BYG1S3HBAI4

Fabricantes: Toshiba Memory
Categoría de producto: USB Flash Drives
Ficha técnica: TC58BYG1S3HBAI4
Descripción: NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Rohs Details
Marca Toshiba Memory
Velocidad 25 ns
Producto NAND Flash
Empaquetado Tray
Tamaño de la memoria 2 Gbit
Tipo de memoria NAND
Subcategoría Memory & Data Storage
Tipo de temporización Synchronous
Arquitectura Block Erase
Fabricante Toshiba
Organización 256 M x 8
Tipo de producto NAND Flash
Ancho del bus de datos 8 bit
Tipo de interfaz Parallel
Estilo de montaje SMD/SMT
Paquete / Caso TFBGA-63
Categoría de producto NAND Flash
Sensible a la humedad Yes
Corriente de suministro - Máx. 30 mA
Tensión de alimentación - Máx. 1.95 V
Tensión de alimentación - Min 1.7 V
Cantidad de paquetes de fábrica 210
Frecuencia máxima del reloj -
Temperatura máxima de funcionamiento + 85 C
Temperatura mínima de funcionamiento - 40 C

En stock 210 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.52 $3.45 $3.38
Mínimo: 1

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