TH58NYG3S0HBAI6
Fabricantes: | Toshiba Memory America, Inc. |
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Categoría de producto: | Memory |
Ficha técnica: | TH58NYG3S0HBAI6 |
Descripción: | IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. |
Categoría de producto | Memory |
Serie | - |
Empaquetado | Tray |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tiempo de acceso | 25ns |
Tamaño de la memoria | 8Gb (1G x 8) |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Estado de la pieza | Active |
Formato de memoria | FLASH |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 67-VFBGA |
Interfaz de memoria | Parallel |
Voltaje - Suministro | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 67-VFBGA (6.5x8) |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
En stock 287 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$8.40 | $8.23 | $8.07 |
Mínimo: 1