Image is for reference only , details as Specifications

TH58NYG3S0HBAI6

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: TH58NYG3S0HBAI6
Descripción: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tiempo de acceso 25ns
Tamaño de la memoria 8Gb (1G x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria FLASH
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 67-VFBGA
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 67-VFBGA (6.5x8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 25ns

En stock 287 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$8.40 $8.23 $8.07
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

S25FL512SAGMFVR11
Cypress Semiconductor Corp
$8.4
MT28EW512ABA1LPC-0AAT
Micron Technology Inc.
$8.35
S29GL512S11DHI010
Cypress Semiconductor Corp
$8.3
IS43TR16128DL-125KBLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$8.26
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
$8.2