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TH58NVG2S3HBAI4

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: TH58NVG2S3HBAI4
Descripción: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 (EEPR
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria FLASH
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 63-BGA
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 63-BGA (9x11)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 25ns

En stock 210 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.34 $5.23 $5.13
Mínimo: 1

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