TH58BYG3S0HBAI6
Fabricantes: | Toshiba Memory America, Inc. |
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Categoría de producto: | Memory |
Ficha técnica: | TH58BYG3S0HBAI6 |
Descripción: | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. |
Categoría de producto | Memory |
Serie | Benand™ |
Empaquetado | Tray |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 8Gb (1G x 8) |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Estado de la pieza | Active |
Formato de memoria | FLASH |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 67-VFBGA |
Interfaz de memoria | - |
Voltaje - Suministro | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 67-VFBGA (6.5x8) |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
En stock 337 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$10.63 | $10.42 | $10.21 |
Mínimo: 1