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TH58BYG2S3HBAI6
| Fabricantes: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Memory |
| Ficha técnica: | TH58BYG2S3HBAI6 |
| Descripción: | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. |
| Categoría de producto | Memory |
| Serie | Benand™ |
| Empaquetado | Tray |
| Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
| Tiempo de acceso | 25ns |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Estado de la pieza | Active |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 67-VFBGA |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Voltaje - Suministro | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
En stock 338 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $5.13 | $5.03 | $4.93 |
Mínimo: 1
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