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TC58NYG2S0HBAI4

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: TC58NYG2S0HBAI4
Descripción: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria FLASH
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 63-VFBGA
Interfaz de memoria -
Voltaje - Suministro 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 63-TFBGA (9x11)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 25ns

En stock 180 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.16 $6.04 $5.92
Mínimo: 1

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