La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

TC58NVG0S3HBAI6

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: TC58NVG0S3HBAI6
Descripción: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tiempo de acceso 25ns
Tamaño de la memoria 1Gb (128M x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria FLASH
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 67-VFBGA
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 67-VFBGA (6.5x8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 25ns

En stock 308 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.77 $2.71 $2.66
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
$2.77
S29AL016J55TFNR10
Cypress Semiconductor Corp
$2.72
SST39VF1601-70-4C-EKE-T
Lanka Micro
$0
W631GG6MB-11
Winbond Electronics
$2.69
W631GU6MB-12
Winbond Electronics
$2.69