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TSM900N06CW RPG

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TSM900N06CW RPG
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 90mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-223
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 500pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 7014 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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