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TSM900N06CH X0G

Fabricantes:	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TSM900N06CH X0G
Descripción:	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	90mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.)	25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-251 (IPAK)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	9.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	500pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V