TSM680P06CI C0G
Fabricantes: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TSM680P06CI C0G |
Descripción: | MOSFET P-CHANNEL |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | P-Channel |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 68mOhm @ 6A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 17W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | ITO-220 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 16.4nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 870pF @ 30V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 18A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 89 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1