La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

TSM60NB190CM2 RNG

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TSM60NB190CM2 RNG
Descripción: MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 150.6W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263 (D²Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 31nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1273pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDB8860
ON Semiconductor
$3.01
STB9NK60ZT4
STMicroelectronics
$0
SUM60030E-GE3
Vishay / Siliconix
$0
AOB190A60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
STB18NF30
STMicroelectronics
$0