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TSM4ND65CI
| Fabricantes: | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TSM4ND65CI |
| Descripción: | 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3.8V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 41.6W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | ITO-220 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 16.8nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 596pF @ 50V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 3972 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.08 | $1.06 | $1.04 |
Mínimo: 1
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