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TSM4N60ECH C5G

Fabricantes:	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TSM4N60ECH C5G
Descripción:	MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id	5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	2.5Ohm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.)	86.2W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-251 (IPAK)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	545pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V