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TSM280NB06LCR RLG

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TSM280NB06LCR RLG
Descripción: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PDFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 969pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7A (Ta), 28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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