TSM250N02DCQ RFG
Fabricantes: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | TSM250N02DCQ RFG |
Descripción: | MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Standard |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 620mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-VDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) - Id | 800mV @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 6-TDFN (2x2) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 775pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.8A (Tc) |
En stock 11586 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1