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TSM200N03DPQ33 RGG

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: TSM200N03DPQ33 RGG
Descripción: MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 20W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PDFN (3x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 345pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Tc)

En stock 2042 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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