La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

TSM1NB60CW RPG

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TSM1NB60CW RPG
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10Ohm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 39W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-223
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.1nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 138pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 4262 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

PSMN013-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
$0
BUK9Y59-60E,115
Nexperia USA Inc.
$0
DMP3056LSS-13
Diodes Incorporated
$0
RTL035N03TR
ROHM Semiconductor
$0
IRLMS6802TRPBF
Infineon Technologies
$0