TSM110NB04CR RLG
Fabricantes: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TSM110NB04CR RLG |
Descripción: | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 3.1W (Ta), 68W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-PDFN (5x6) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 23nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 40V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1443pF @ 20V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 12A (Ta), 54A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 4995 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1