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TSM055N03PQ56 RLG

Fabricantes:	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TSM055N03PQ56 RLG
Descripción:	MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)	74W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-PDFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	11.1nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1160pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V