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TPAR3J S1G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: TPAR3J S1G
Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Tipo de diodo Avalanche
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-277, 3-PowerDFN
Capacitancia : Vr, F 58pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-277A (SMPC)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 120ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 10µA @ 600V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 600V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 3A
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 175°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1.55V @ 3A

En stock 2962 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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