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RS1DLHMHG

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: RS1DLHMHG
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DO-219AB
Capacitancia : Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores Sub SMA
Tiempo de recuperación inversa (trr) 150ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 5µA @ 200V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 200V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 800mA
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 150°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1.3V @ 800mA

En stock 84 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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