La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
HS1BL R3G
| Fabricantes: | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Ficha técnica: | HS1BL R3G |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Tipo de diodo | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | DO-219AB |
| Capacitancia : Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Sub SMA |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50ns |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 5µA @ 100V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 100V |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) | 1A |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 950mV @ 1A |
En stock 94 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.08 | $0.08 | $0.08 |
Mínimo: 1
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