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F1T6G R0G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: F1T6G R0G
Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso T-18, Axial
Capacitancia : Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TS-1
Tiempo de recuperación inversa (trr) 500ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 5µA @ 800V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 800V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1A
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 150°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1.3V @ 1A

En stock 61 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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