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ESH1C R3G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: ESH1C R3G
Descripción: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DO-214AC, SMA
Capacitancia : Vr, F 16pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DO-214AC (SMA)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 15ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 1µA @ 150V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 150V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1A
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 175°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 950mV @ 1A

En stock 7040 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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