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ES3DBHM4G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: ES3DBHM4G
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DO-214AA, SMB
Capacitancia : Vr, F 46pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DO-214AA (SMB)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 35ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 10µA @ 200V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 200V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 3A
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 150°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1V @ 3A

En stock 75 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.16 $0.16 $0.15
Mínimo: 1

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