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SI8275DBD-IS1R
| Fabricantes: | Silicon Labs |
|---|---|
| Categoría de producto: | Isolators - Gate Drivers |
| Ficha técnica: | SI8275DBD-IS1R |
| Descripción: | 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Silicon Labs |
| Categoría de producto | Isolators - Gate Drivers |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Aprobaciones | CQC, CSA, UL, VDE |
| Tecnología | Capacitive Coupling |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Número de canales | 2 |
| Voltaje - Aislamiento | 2500Vrms |
| Corriente - Salida máxima | 4A |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
| Tiempo de subida/caída (típico) | 10.5ns, 13.3ns |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 16-SOIC |
| Voltaje - Suministro de salida | 4.2V ~ 30V |
| Corriente - Salida alta, baja | 1.8A, 4A |
| Distorsión de ancho de pulso (máx.) | 8ns |
| Voltaje - Adelante (Vf) (típico) | - |
| Retardo de propagación tpLH / tpHL (máx.) | 75ns, 75ns |
| Inmunidad transitoria en modo común (mín.) | 200kV/µs |
En stock 65 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.28 | $2.23 | $2.19 |
Mínimo: 1
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